7440-21-3 硅

该物质常温运输，职业暴露等级为B，职业暴露限值TWA为10mg/m³（total）；危险品运输编号UN 1346，WGK Germany为2，自燃温度780°C，属易燃固体类别2，危险等级4.1，包装类别III，存储类别为4.1B - 易燃固体危险物质，已列入TSCA，海关编码3822 00 00，RTECS号VW0400000，毒害物质数据对应编号7440-21-3。

用于制造硅烷和硅酮类有机化合物；合金；陶瓷；耐火材料；制造多晶硅、单晶硅，用于晶体管、整流器、太阳能电池、半导体器件、集成电路等；与铁、钢、铜等金属混合制成合金，用于汽车等领域；有机硅用于护肤产品中。

半导体材料; 合金; 有机硅化合物; 耐火材料; 陶瓷

工业粗硅制备路线

• 步骤：使用碳电极在电炉中加热二氧化硅与碳（焦炭）反应
• 反应式：SiO₂ + C→Si + CO₂
• 纯度：所得产物纯度约96-98%，经浸出可纯化至约99.7%

高纯硅制备路线

1. 三氯氢硅还原法

• 步骤：干燥硅粉与干燥氯化氢在280～330℃、氯化亚铜催化剂存在下反应生成三氯氢硅，经蒸馏提纯后，用超纯氢气在1050～1100℃还原得到多晶硅
• 反应式：Si + 3HCl→SiHCl₃ + H₂；SiHCl₃ + H₂→Si + 3HCl
• 纯度：精制三氯氢硅纯度达7个“9”以上，杂质含量小于1×10⁻⁷，硼含量小于0.5×10⁻⁹

2. 其他提纯方法

• 用高纯锌还原四氯化硅：SiCl₄ + 2Zn→Si + 2ZnCl₂
• 加热硅烷或四碘化硅：SiH₄→Si + 2H₂；SiI₄→Si + 2I₂
• 用钠还原四氟化硅：SiF₄ + 4Na→Si + 4NaF

硅单晶制备路线

1. 坩埚直拉法

• 步骤：清洁处理设备、坩埚、硅多晶及籽晶，硅多晶经破碎、去油、化学清洗、干燥后，加入单晶炉坩埚，抽真空熔化，氩气氛下引晶、放肩、等径生长、收尾，检测称量得成品

2. 悬浮区熔法

• 步骤：清洁处理设备和原料，硅多晶经切断、磨制、去油、清洗、干燥后，装炉，抽真空或充氩气，高频加热进行区熔提纯，经预热、引晶、放肩、等径、收尾，检测称量得成品