15572-25-5 硒化铊(I)

中文名称: 硒化铊(I)
英文名称: thallium(i) selenide
CAS号
分子式: SeTl₂
分子量: 487.727
更新日期: 2026-05-08

名称和标识

中文名: 硒化铊(I)
英文名: thallium(i) selenide
CAS号: 15572-25-5
分子式: SeTl2
分子量: 487.727
中文别名: 硒化铊(I);硒化铊(I), 99.9% (METALS BASIS)
英文别名: EINECS 239-627-1; MFCD00049603

物化属性

外观与性状: 灰色小叶瓣晶体
形态: 片状
颜色: 灰色片状结晶
暴露限值: ACGIH: TWA 0.02 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3 (Skin) NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
临界压力: 未确定
临界温度: 未确定
储存条件/存储条件: 常温密闭避光，通风干燥
分子量: 487.74
密度: 9.05
折射率: 未确定
比旋光度: 未确定
水溶解性: Insoluble in water and acids.
沸点: 未确定
油水（辛醇/水）分配系数的对数值: 未确定
溶解度/溶解性: 不溶于水、酸溶液
熔点: 340°C
燃烧热: 未确定
爆炸上限（%,V/V）: 未确定
爆炸下限: 未确定
物理描述: Dark gray solid with metallic luster; Insoluble in water; [Merck Index]
相对蒸汽密度（空气=1）: 未确定
稳定性: 常温常压下稳定避免的物料：氧化物酸。不溶于水和醋酸，溶于其他酸类。Tl2Se半导体薄膜能用于整流器部件中。硒化铊(Ⅰ)具有四面体的结构，在晶胞中有十个分子(a0＝0.854nm，c0＝1.271nm)。熔融的Tl2Se是半导体。在Tl—Se体系相应于Tl2Se的组成时电导率极小。在该组成处绝对温差电势率能改变它的符号。用电子散射模型可解释这些结果。
精确质量: 489.86538
自燃点或引燃温度: 未确定
蒸气压/蒸汽压: 未确定
闪点: 未确定
饱和蒸气压: 未确定
共价键单元数: 3 None
单同位素质量: 489.86538
可旋转键数: 0 None
同位素原子数量: 0 None
复杂度: 0 None
定义的原子立体中心数: 0 None
定义的键立体中心数量: 0 None
形式电荷: 0 None
拓扑极性表面积: 0 Å²
未定义原子立体中心数: 0 None
未定义键立体中心数量: 0 None
氢键供体数量: 0 None
氢键受体数量: 1 None
电荷: 0
重原子数: 3 None
外观性质: 灰色片状结晶或灰色小叶瓣晶体，常温常压下为固体。

安全信息

安全说明

危险品运输编号:UN 1707 6.1/PG 2，包装类别II。危险等级6.1。吸入性硒允许浓度：MAK 0.02 mg/m³（德国研究基金会），PEL 0.2 mg/m³，TLV 0.2 mg/m³，IDLH 1.0 mg/m³。

生产及用途

用途与制备

Used in molten form as a semiconductor; Semiconductor Manufacturing [Category: Industry]

半导体制造

步骤: 将Tl和Se的单质混合；
条件: 在密闭管中加热至约400℃

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