金属硅化物具有类似金属的导电、高温、抗氧化性能及与硅集成电路工艺相容性，过渡金属硅化物可用于低电阻栅门和内连线、肖特基栅、电阻接触；二硅化钽作为栅材料、集成电路连结线路、高温抗氧化涂层等，在电热元件、高温结构部件、电子器件等方面广泛应用。
材料科学
路线1：燃烧合成法
- 原料：-500目硅粉（纯度≥99.95%）23.6g、-300目钽粉（纯度≥99.95%）76.4g，添加0.5g NH₄Cl粉末；
- 混合：球料比8:1，球磨12小时；
- 成型：装入碳化硅坩埚，振动台振实至相对密度40%；
- 反应：合成炉抽真空后充氩气，以20℃/min升温至650℃，钨丝通电引燃反应；
- 后处理：冷却后用氧化锆球罐破碎，XRD检测为单相TaSi₂。
路线2：高温预反应法
- 原料：金属钽和硅粉；
- 混合：粉碎并混合均匀；
- 反应：石墨炉内加热至1100～1500℃预反应，通氢气后升温至1800℃均化反应1h；
- 产物：直接得硅化钽。
路线3：氢化钽还原法
- 原料：五氧化二钽、氢化钙、硅粉；
- 步骤：氢化钙还原五氧化二钽得氢化钽，加热至1800℃得金属钽，与硅粉合成得硅化钽。
路线4：直接加热法
- 原料：Si和Ta混合物；
- 反应：预热至350℃后升温至1480℃反应；
- 替代法：TaS₂与SiHₙX₄₋ₙ在900℃反应制得。
