化学合成。
化学合成
合成路线 1（1. 合成：4627-22-9）
产率：72%
合成条件：With tri-tert-butyl phosphine; bis(dibenzylideneacetone)-palladium (0) ; sodium t-butanolate In toluene at 90 - 110℃; for 12 h; Inert atmosphere
实验步骤：4-叔丁基-1-苯胺（14.9g，100mmol），叔丁基-1-溴苯（21.2g，100mmol），双（二亚苄基丙酮）钯（1.7g，3mmol），三叔丁基膦 将（1.2g，6mmol）加入到甲苯（200ml）中并将所得甲苯溶液在氩气流下加热至90℃;然后加入叔丁醇钠（0.6g，6mmol），加热至110℃。 在氩气氛下，将反应物搅拌12小时。将反应混合物冷却至室温，加水分离。浓缩所得有机层的溶剂，得到固体，用硅胶纯化所得固体。 柱色谱法，得到目标产物中间体5（20.2g，72mmol），收率72％。
参考文献：
- [1] Bulletin of the Chemical Society of Japan, 2000, vol. 73, # 4, p. 1021 - 1027 [2] Patent: CN107286027, 2017, A. Location in patent: Paragraph 0052; 0064; 0065; 0066 [3] Patent: CN107573306, 2018, A. Location in patent: Paragraph 0030; 0038 [4] Patent: CN107573357, 2018, A. Location in patent: Paragraph 0039; 0040 [5] Tetrahedron Letters, 2001, vol. 42, # 27, p. 4421 - 4424 [6] Patent: WO2005/90291, 2005, A1. Location in patent: Page/Page column 82
合成路线 2（2. 合成：4627-22-9）
产率：86%
合成条件：Stage #1: With ammonia; sodium t-butanolate In 1,2-dimethoxyethane at 90℃; for 24 h; Stage #2: With hydrogenchloride In 1,2-dimethoxyethane; water at 20℃; for 0.08 h; Stage #3: With sodium hydrogencarbonate In 1,2-dimethoxyethane; water
实验步骤：将CyPF-t-Bu）PdCl 2（7.30mg，1.00×10 -2 mmol），NaOrBu（0.192g，2.00mmol）和4-叔丁基-1-溴苯（0.213g，1.00mmol）称入Parr Bomb中。在干燥的盒子里面。然后加入DME（20.0mL）。将Parr炸弹关闭并从干燥箱中取出。通过连接到氨罐并在80psi下保持压力30分钟，在搅拌下加入氨。“将得到的反应混合物在90℃下搅拌24小时。在反应过程中将压力升至200psi。然后将反应混合物冷却至室温，然后倒入冰水（20.0mL）中，向该混合物中加入HCl水溶液（10.0mL，1.0M）。将混合物在室温下搅拌5分钟，然后中和。用饱和NaHCO 3溶液（5.00-10.0mL）萃取。用CH 2 Cl 2（3×20.0mL）萃取后，分离有机层，用MgSO 4干燥，蒸发溶剂，用己烷/乙基洗脱分离粗产物。乙酸酯（70/30）得到128.1mg（86％）4-叔丁基苯胺，为浅黄色液体.1H NMR（CDCl3）δ7.05（d，J = 8.4Hz，2H），6.55（d，J = 8.8Hz，2H），3.44（s，br，2H），1.20（s，9H）; 13C NMR（CDCl3）δ143.74,141.32,125.98,114.86,33.85,31.49。
参考文献：
- [1] Journal of the American Chemical Society, 2006, vol. 128, # 31, p. 10028 - 10029 [2] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 44; 45; 46 [3] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 58-59 [4] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 48-49; 50 [5] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 58-59 [6] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 59-60 [7] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 59-60 [8] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 58-59 [9] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 58-59 [10] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 56-57 [11] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 54-55 [12] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 54-55 [13] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 55-56 [14] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 53-55 [15] Patent: WO2007/109365, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 56-57
