四氟化碳（CF4）是微电子工业用量最大的等离子蚀刻气体，用于硅、二氧化硅等薄膜材料蚀刻；作为低温制冷剂、绝缘介质；用于电子器件清洗、太阳能电池生产、激光技术、气体绝缘、泄漏检测；还可作金属冶炼、塑料行业原料，以及低温制冷、润滑剂、制动液等；化学稳定性强，1000℃下不水解，常温不与铜、镍、钨反应，高浓度有麻醉作用，高纯气可配氧作蚀刻气。
微电子工业等离子体蚀刻（硅、二氧化硅等薄膜材料）；低温制冷；气体绝缘；泄漏检测；印刷电路去污；太阳能电池；激光技术；金属冶炼；塑料行业；电子器件表面清洗；润滑剂、制动液；安全自爆防爆式干粉灭火器
路线1：碳/氟相关反应
- 碳与氟反应；一氧化碳与氟反应；碳化硅与氟反应；氟石与石油焦在电炉反应；二氟二氯甲烷与氟化氢反应；四氯化碳与氟化银/氟化氢反应。
- 四氯化碳与氟化氢反应：在填氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后气体经水洗、碱洗除酸性气体，冷冻、硅胶除水，精馏得成品。
- 碳化硅与氟反应：5～10g碳化硅粉末+0.1g硅粉置于镍盘，放入蒙乃尔合金反应管，通氟气（先与硅反应放热，再与碳化硅反应），通等体积干燥氮气稀释，生成气体经液氮冷却镍捕集器冷凝，气化后通过NaOH洗气瓶除SiF4，硅胶和五氧化二磷干燥塔得产品。
- 活性炭与氟反应：在反应炉通高浓氟气，加热控温，产品经除尘、碱洗除HF等杂质，脱水得85%粗品，低温精馏除O2、N2、H2得高纯CF4。
路线2：烷烃直接氟化法
- 甲烷与Cl2、HF在催化剂（Al2O3、Cr2O3、CoCl2）存在下气态反应：CH4+4Cl2+4HF→CF4+8HCl，反应在1～5s接触时间、450～550℃下，管式/流化床反应器进行，工艺成熟但产物复杂收率低。
路线3：氟氯甲烷氟化法
- 多段反应：第一段CF3Cl与HF在CrO2F2催化剂流化床反应（CF3Cl+HF→CF4+HCl，催化剂由Cr(Ⅲ)氢氧化物与HF或CrF3·3H2O在O2下制得，CF3Cl:HF=1:2～8，空速10～150h-1，380～420℃），水洗碱洗干燥后第二段通HF（CF3Cl:HF=1:0.3～5，空速10～300h-1，同温度），未反应CF3Cl≤15×10-6，纯度高。
路线4：氟碳直接合成法
- 碳与F2在抑爆剂（如BrF3）存在下反应，用筛孔0.25mm石油焦，软钢反应器，美国空气产品公司工业化生产，纯度99.99%以上。
