材料科学,用作电子、光学材料、催化剂等;可通过气相沉积法或双管电炉法制备高纯砷化铟晶体
材料科学,用作电子、光学材料、催化剂等;利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环以及制备带势垒层结构的砷化铟热光伏电池
路线1:气相沉积法
- 步骤:
- 以氩气为保护气体,将三氯化铟和三氯化砷按摩尔质量比1:1~1.5:1取料,分别置于第一、第二挥发室中,300~900℃下挥发0.5h~12h,使其呈蒸汽状态;
- 通过喷嘴将两挥发室蒸汽同时喷入钛材反应室,300~900℃下反应2h~5h,气相沉积得沉积物;剩余挥发气体常温下加压至600~700kPa或常压冷却至-34℃得液氯;
- 将沉积物加热挥发2h~12h(300~900℃,0.5~100kPa),除残余氯,冷却得纯度>99.9%的橘黄色砷化铟晶体。
- 设备:第一、二挥发室可用侧吹式电炉,反应室可用电加热炉。
路线2:双管电炉法
- 步骤:
- 往一端封闭的石英安瓿中送入装铟的石英盘,加入砷,真空封口(真空度5×10⁻⁶Torr);
- 安瓿装铟部分加热至955℃,装砷部分加热至560℃(砷蒸气压约33kPa),砷蒸气与铟反应生成InAs;
- 反应5~6h后取出安瓿,从盘前端生成InAs单晶。