作为III-VI族半导体层状化合物材料，用于光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域；研究其阳离子空位对晶体管性能的影响机制，以抑制作用获得高性能光电晶体管器件。
光电子器件; 辐射探测器; 太阳能电池
路线1：晶体生长与剥离法
- 步骤1：采用垂直布里奇曼晶体生长法，按物质的量比1:1配料Ga:Te，制备GaTe单晶体；
- 步骤2：在Ar气氛的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光滑无褶皱的GaTe体材料，沿自然解理面分离为多块；
- 步骤3：在Ar气氛的米开罗那Universal2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离厚度约6-8μm的GaTe薄片；
- 步骤4：在Ar气氛的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，获得数百纳米厚度的GaTe片层。
路线2：熔融法
- 步骤：加热熔化按化学计量比的碲和镓混合物，可制得GaTe。
